插层 FeSe 中由配对顶点主导的超导电性

块体 FeSe 在 9\,K 以下变为超导态，但当其被碱金属元素插层时，临界温度 (T$_{c}$) 几乎普遍增强约 $\sim$4-5 倍。插层如何改变结构已通过原位 X 射线和中子散射技术得以明确，但 T$_{c}$ 为何发生如此剧烈变化尚不清楚。本文表明，在特定 $\bf q$ 矢量处磁不稳定性的增强与超导配对顶点之间存在一一对应关系，即便核自旋弛豫率 ${1}/{(T_{1}T)}$ 可能并未反映这一增强。插层改变了面内及层间的电子屏蔽。我们定量地厘清了超导配对顶点如何从每一种此类电子屏蔽变化中获得增益。插层 FeSe 提供了一个典型的超导范例：即便在包含关联效应计算的情况下，由单粒子电子结构导出的信息似乎也不足以解释超导起源。我们表明，只要 d$_{xy}$ 轨道在 $\Gamma$ 点保持靠近 E$_{F}$，插层后 T$_{c}$ 的五倍增强对 d$_{xy}$ 在 $\Gamma$ 点的精确位置并不敏感。最后我们表明，插层还显著软化了集体电荷激发，暗示电子-声子相互作用可能在插层 FeSe 中起到一定作用。