掺杂 CZT 晶体的晶体生长与表征
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过高压垂直布雷尔曼法从预合成的 CZT 中生长了 Cd1-xZnxTe 晶体，其中 x 的范围为 0.1-0.2。采用电阻性石棉加热器控制炉内温度分布，使用氩气超压以减少铋的蒸发。晶体掺杂元素包括 Al、Ni、In、Ga、Ge 或 Sn，掺杂方式包括：1) 在生长过程中添加纯金属；2) 在生长过程中添加金属氟化物；或3) 在 CZT 起始材料合成过程中插入金属氟化物。还变更了一些生长过程参数。生长的 CZT 水晶棒直径为 15 或 38 mm。将讨论掺杂对 CZT 属性（尤其是电导类型和比电阻率）的影响。还将报告来自 α 粒子（U-233、Ra-226、U-233+Pu-239+Pu-238）和不同 γ 射线源（Cs-137、Co-60、Co-57、Am-241）的能谱。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107081,
title = {Crystal Growth and Characterization of Doped CZT Crystals},
author = {N. N. Kolesnikov and S. P. Vesnovskii and R. B. James and N. S. Berzigiarova and D. L. Alov and A. G. Zvenigorodskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107081},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 11 figures