Zn 稳定化 CePtIn4 的生长、晶体结构与磁性表征
材料科学
2017-09-13 v1
摘要
报道了通过 10% Zn 替代 In 而稳定化的 CePtIn4 的生长与表征。新材料为正交晶系，空间群 Cmcm (No. 63)，晶格参数 a = 4.51751(4) {\AA}, b = 16.7570(2) {\AA}, c = 7.36682(8) {\AA}，精炼晶体组成为 10% Zn 替代 In，即晶体为 CePt(In3.6Zn0.1)4。晶体采用自熔剂法生长：仅含 Zn 的生长过程得到 CePtIn4 晶体，而不含 Zn 时形成 Ce3Pt4In13 晶体。单晶的各向异性温度依赖磁化率表明，Zn 稳定化的 CePtIn4 在 ~1.9 K 发生磁有序。高温 Curie-Weiss 拟合给出有效磁矩约 2.30 muB/ Ce，以及方向平均 Weiss 温度约为 -9 K。比热数据显示出一个与磁化率数据中观察到的有序温度一致的峰。Zn 稳定化的 CePtIn4 呈金属性，且在低至 0.14 K 时未显示超导转变。
引用
@article{arxiv.1705.04634,
title = {Growth, Crystal Structure and Magnetic Characterization of Zn-Stabilized CePtIn4},
author = {Elizabeth M. Carnicom and Tomasz Klimczuk and Fabian von Rohr and Michal J. Winiarski and Tai Kong and Karoline Stolze and Weiwei Xie and Satya K. Kushwaha and Robert J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.04634},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 5 figures, 1 table