片状形貌CePtIn4单晶的生长与结构研究

Debarchan Das; Marek Daszkiewicz; Daniel Gnida; Alicja Hackemer; Mirosław Werwiński; Andrzej Szajek; Dariusz Kaczorowski

doi:10.1016/j.ssc.2019.113717

片状形貌CePtIn4单晶的生长与结构研究

强关联电子 2019-09-13 v2

作者: Debarchan Das , Marek Daszkiewicz , Daniel Gnida , Alicja Hackemer , Mirosław Werwiński , Andrzej Szajek , Dariusz Kaczorowski

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摘要

我们展示了从In助熔剂中生长出片状形貌的CePtIn4单晶所进行的全面结构研究结果。它们被发现有正交晶系结构,空间群为Cmcm(第63号),晶格参数为a = 4.52175 (15) {\AA}、b = 16.7777 (5) {\AA}、c = 7.3903 (2) {\AA}。此类晶体的晶胞体积略大于先前报道的针状CePtIn4单晶。这一特征似乎影响了该化合物的低温物理性质,例如增强的有序温度(TN = 2.3 K,而此前观测为1.65 K),以及在TN处电阻率的急剧下降(针状CePtIn4中未出现)。除实验数据外,我们给出了片状形貌CePtIn4电子结构的从头算结果。

关键词

CePtIn4 单晶片状形貌正交结构电子结构从头算低温性质

引用

@article{arxiv.1905.06398,
  title  = {Study on CePtIn4 grown in a platelet-like morphology},
  author = {Debarchan Das and Marek Daszkiewicz and Daniel Gnida and Alicja Hackemer and Mirosław Werwiński and Andrzej Szajek and Dariusz Kaczorowski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1905.06398},
  year   = {2019}
}

备注

20 pages, 6 figures, 4 tables

片状形貌CePtIn4单晶的生长与结构研究

摘要

关键词

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