MnBi2Te4 的晶体生长与磁结构
材料科学
2019-06-18 v2 强关联电子
摘要
通过 Bi-Te 助熔剂生长出毫米级 MnBiTe 单晶，并借助磁性及输运性质测量、扫描隧道显微镜（STM）与谱学（STS）进行表征。MnBiTe 在 T 以下的磁结构由粉末与单晶中子衍射测量确定。在 T=24\,K 以下，Mn 磁矩在 \textit{ab} 面内铁磁有序，但沿晶轴 \textit{c} 反铁磁排列。有序磁矩在 10\,K 时为 4.04(13) /Mn，并沿晶轴 \textit{c} 方向。电阻率随降温跨越 T 时下降，或在 T 以下随磁场增大跨越变磁转变时下降。在 T 附近的热导率温度依赖中观察到临界散射效应。然而，在 2K-300K 温度范围内热电势呈线性温度依赖，在 T 附近无任何反常。这表明 Mn-Te 层中的磁序对电子能带结构影响可忽略，这使得在精细调控电子能带结构后，MnBiTe 中实现所提出的拓扑性质成为可能。
引用
@article{arxiv.1902.10110,
title = {Crystal growth and magnetic structure of MnBi2Te4},
author = {J. -Q. Yan and Q. Zhang and T. Heitmann and Z. L. Huang and W. D. Wu and D. Vaknin and B. C. Sales and R. J. McQueeney},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.10110},
year = {2019}
}