MnBi2Te4 的晶体生长及基本输运与磁学性质
材料科学
2019-10-17 v3
摘要
我们报道了磁性拓扑绝缘体（MTI）MnBi2Te4 的成功生长。加热方案基本为：从 900C 熔融态生长晶体，以极慢冷速（1C/hr）冷却至约 600C 并保持 24 小时，随后冷却至室温。我们详细的 PXRD Rietveld 分析显示，所得晶体主要以 MnBi2Te4 为主，含少量 Bi2Te3 与 MnTe 相。输运测量显示约 150K 处出现阶梯状行为，随后因报道的 Mn 反铁磁序在约 25K（TP）处电阻率出现尖峰状结构。两次电阻率转变在 dR/dT 测量中分别于 150K 与 20K 清晰可见。该化合物的 25K 转变亦出现于磁化率中。在高达 6 Tesla 外加场下的低温（5K）磁电阻（MR）显示，低于 3 Tesla 为负 MR，更高场为正 MR；此外，低于 1 Tesla 的 MR 中可见台阶。所研究的 MnBi2Te4 MTI 晶体可能是量子反常霍尔（QAH）效应的潜在候选。
引用
@article{arxiv.1906.09038,
title = {Crystal Growth and basic transport and magnetic properties of MnBi2Te4},
author = {Poonam Rani and Ankush Saxena and Rabia Sultana and Vipin Nagpal and S. S. Islam and S. Patnaik and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.09038},
year = {2019}
}
备注
14 Pages Text + Figs. Accepted Letter - J. Sup. & Novel Mag