探测 Mie 纳米谐振器与原子级薄半导体的光学近场相互作用
光学
2023-06-09 v1 材料科学
摘要
基于硅纳米结构的光学 Mie 谐振器可通过基于 CMOS 兼容纳米制备的先进设计概念调控光-物质相互作用。诸如过渡金属硫族化物(TMD)单层等光学活性材料可置于此类 Mie 谐振器的近场区域。本文中，我们通过数值模拟实验演示并验证了 MoSe2 单层与介质纳米谐振器近场之间的耦合。通过比较暗场(DF)散射光谱与光致发光激发实验(PLE)，我们表明 MoSe2 吸收可经纳米谐振器近场增强。我们展示了通过单个 Mie 谐振器几何结构对吸收进行光谱调谐。我们通过测得 PLE 中典型近场共振相对于 DF 散射中远场共振的光谱偏移，表明我们确实访问了纳米谐振器的光学近场。我们的结果证明，使用 MoSe2 作为活性探针可在无需高度复杂近场显微设备的情况下，访问光子纳米结构之上的光学近场。
引用
@article{arxiv.2210.14058,
title = {Probing the optical near-field interaction of Mie nanoresonators with atomically thin semiconductors},
author = {Ana Estrada-Real and Ioannis Paradisanos and Peter R. Wiecha and Jean-Marie Poumirol and Aurelien Cuche and Gonzague Agez and Delphine Lagarde and Xavier Marie and Vincent Larrey and Jonas Müller and Guilhem Larrieu and Vincent Paillard and Bernhard Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.14058},
year = {2023}
}
备注
Main paper and supplement