面向非线性光子芯片的PdSe2二硫族化物二维薄膜的高三阶光学克尔非线性
光学
2021-07-01 v1
摘要
作为一种新型层状贵金属二硫族化物材料，二硒化钯（PdSe2）因其优异的光学和电子特性引起了广泛关注。本工作中，报道了二维PdSe2薄膜的强三阶非线性光学响应。我们利用飞秒脉冲激光在800 nm处分别进行开孔（OA）和闭孔（CA）Z扫描测量，以研究其非线性吸收和非线性折射。在OA实验中，我们观察到源于PdSe2薄膜中大双光子吸收（TPA）的光学限幅行为，其中β = 3.26 x 10-8 m/W。在CA实验中，我们测得峰-谷响应对应于大而负的克尔非线性n2 = -1.33 x 10-15 m2/W，比体硅大两个数量级。此外，还表征了n2随激光强度的变化，n2的幅度随入射激光强度增加而减小，在高强度下饱和于n2 = -9.96 x 10-16 m2/W。我们的结果表明，PdSe2非凡的三阶非线性光学特性在高性能非线性光子器件方面具有巨大潜力。
引用
@article{arxiv.2106.15815,
title = {High 3rd Order Optical Kerr Nonlinearity of PdSe2 Di-chalcogenide 2D Films for Nonlinear Photonic Chips},
author = {David Moss},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.15815},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 4 figures, 1 table, 164 references. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:2005.01254