缺陷作为限制 WSe2 中载流子迁移率的因素：一项光谱研究
材料科学
2017-04-20 v1
摘要
二维过渡金属二硫族化物 (TMDs) 的电学性能强烈受其内部结构缺陷数量影响。本工作中，我们提供光学光谱表征方法以关联 WSe2 器件的结构缺陷数量与电学性能。电子束光刻 (EBL) 加工的 WSe2 的低温光致发光 (PL) 谱呈现出清晰的缺陷诱导 PL 发射，源于束缚于缺陷的激子，这将严重降低电学性能。通过采用无电子束转移电极技术，我们能够制备缺陷数量受限的后栅 WSe2 器件。由于减少了散射源，实现了约 200 cm2/Vs 的最大空穴迁移率，这是同类型报道的最高值。该工作不仅提供通用非破坏方法监测 TMDs 中的缺陷，也提供新途径以接近高性能 TMDs 器件中室温声子限制迁移率。
引用
@article{arxiv.1608.02043,
title = {Defects as a factor limiting carrier mobility in WSe2: a spectroscopic investigation},
author = {Zhangting Wu and Zhongzhong Luo and Yuting Shen and Weiwei Zhao and Wenhui Wang and Haiyan Nan and Xitao Guo and Litao Sun and Xinran Wang and Yumeng You and Zhenhua Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.02043},
year = {2017}
}
备注
22 pages, 10 figures, to appear in Nano Research