超纯过渡金属硫族化合物的两步助熔剂合成
材料科学
2023-03-30 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在此，我们描述使用两步助熔剂生长法合成 TMD 晶体，该方法消除了一个主要的潜在污染源。对由该两步法生长的 TMD 的详细表征显示，其带电与等价缺陷密度比单步助熔剂技术生长的 TMD 低一个数量级。单层 WSe2 的初温依赖电输运测量给出室温空穴迁移率高于 840 cm2/Vs，低温无序限制迁移率高于 44,000 cm2/Vs。由两步助熔剂生长的 WSe2 制备的石墨烯-WSe2 异质结构的电输运测量亦显示更优性能：更高的石墨烯迁移率、更低的带电杂质密度，以及清晰分辨的整数量子霍尔态。
引用
@article{arxiv.2303.16290,
title = {Two-step flux synthesis of ultrapure transition metal dichalcogenides},
author = {Song Liu and Yang Liu and Luke Nemetz Holtzman and Baichang Li and Madisen Holbrook and Jordan Pack and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Cory R. Dean and Abhay Pasupathy and Katayun Barmak and Daniel A. Rhodes and James Hone},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.16290},
year = {2023}
}