几层厚 WS2/石墨烯异质结中的隧穿输运

Takehiro Yamaguchi; Rai Moriya; Yoshihisa Inoue; Sei Morikawa; Satoru Masubuchi; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Tomoki Machida

doi:10.1063/1.4903190

几层厚 WS2/石墨烯异质结中的隧穿输运

介观与纳米尺度物理 2014-12-10 v2

作者: Takehiro Yamaguchi , Rai Moriya , Yoshihisa Inoue , Sei Morikawa , Satoru Masubuchi , Kenji Watanabe , Takashi Taniguchi , Tomoki Machida

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摘要

本文展示了厚度仅为几个单层的过渡金属二硫属化物 (TMD) 所具有的高质量隧穿势垒特性以及层数可控的隧穿电阻。对石墨烯/TMD/金属异质结构中 WS2 和 MoS2 TMDs 垂直输运的研究表明，当 WS2 厚度在 2 至 5 个单层之间时表现出隧穿势垒特性，而 MoS2 在同一厚度范围内随厚度增加则经历从隧穿到热电子发射输运的转变。因此，石墨烯/WS2/金属异质结构中的隧穿电阻随 WS2 层数的增加呈指数增长，揭示出 WS2 的隧穿势垒高度为 0.37 eV。

关键词

隧穿输运 WS2 石墨烯异质结过渡金属二硫属化物隧穿势垒垂直输运热电子发射

引用

@article{arxiv.1411.4714,
  title  = {Tunneling transport in a few monolayer-thick WS2/graphene heterojunction},
  author = {Takehiro Yamaguchi and Rai Moriya and Yoshihisa Inoue and Sei Morikawa and Satoru Masubuchi and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Tomoki Machida},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1411.4714},
  year   = {2014}
}

备注

15 pages, 3 figures

几层厚 WS2/石墨烯异质结中的隧穿输运

摘要

关键词

引用

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