通过溶剂蒸发技术生长过渡金属硫族化合物
材料科学
2020-08-17 v2
摘要
由于其物理性质及在能量转换与存储中的潜在应用，过渡金属硫族化合物（TMDs）近年来引起极大兴趣。在这类材料中，基于钼、钨、硫和硒的 TMDs 因其半导体特性与自下而上合成技术的可用性而尤其引人注目。在此我们报道一种方法，通过来自金属饱和硫族熔体的气相沉积，从其固溶体中产出高质量的过渡金属二硒化物与二碲化物晶体（PtTe2、PdTe2、NiTe2、TaTe2、TiTe2、RuTe2、PtSe2、PdSe2、NbSe2、TiSe2、VSe2、ReSe2）。此外，我们展示了使用上述过程合成稀土金属多硫族化物与 NbS2 晶体。所得大多数晶体具有层状 CdI2 结构。我们研究了选定晶体的物理性质，并与文献中报道的 SOTA 发现进行比较。值得注意的是，1T-TiSe2 与 2H-NbSe2 晶体中的电荷密度波转变分别在 TCDW ~ 200 K 与 ~ 33 K 处明确定义。角分辨光电子能谱与电子衍射被用于直接获取 PtTe2 单晶的电子与晶体结构，并给出 SOTA 测量。
引用
@article{arxiv.2007.14167,
title = {Growth of Transition Metal Dichalcogenides by Solvent Evaporation Technique},
author = {Dmitriy A. Chareev and Polina V. Evstigneeva and Dibya Phuyal and Gabriel Man and Hakan Rensmo and Alexander N. Vasiliev and Mahmoud Abdel-Hafiez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.14167},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 10 figures