由预沉积反应物合成WTe2薄膜与高结晶纳米带
材料科学
2020-04-27 v1
摘要
二碲化钨是一种层状过渡金属硫族化物（TMD），近年来引起越来越多的研究兴趣。WTe2已展现出巨大的非饱和磁电阻、自旋电子学应用潜力以及作为II型Weyl半金属的前景。大多数关于WTe2的工作依赖于从化学气相输运（CVT）生长晶体机械剥离的薄片进行研究。尽管能生产高质量样品，该方法受若干缺点制约，包括合成时间长、高温退火以及固有的不可扩展性。本工作中，展示一种合成方法，可制备大面积的WTe2多晶薄膜。这是通过在相对较低温度550 degC下预沉积的W和Te薄膜反应实现的。溅射X射线光电子能谱揭示了这些WTe2薄膜在环境条件下氧化的快速但自限制特性。WTe2薄膜由微米尺寸纳米带区域组成，可分离并作为CVT生长样品的替代物。这些纳米带高度结晶，TEM显示缺陷密度低，并展现出有前景的初步电学结果。
引用
@article{arxiv.2004.11603,
title = {Synthesis of WTe2 thin films and highly-crystalline nanobelts from pre-deposited reactants},
author = {John B. Mc Manus and Cansu Ilhan and Bastien Balsamo and Clive Downing and Conor P. Cullen and Tanja Stimpfel-Lidner and Graeme Cunningham and Lisanne Peters and Lewys Jones and Daragh Mullarkey and Igor V. Shvets and Georg S. Duesberg and Niall McEvoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.11603},
year = {2020}
}