探测 CVD 生长 MoS2 的本征光学质量
材料科学
2017-06-13 v1
摘要
二维层状过渡金属二硫族化物（TMDs）的光发射效率是影响其光电性能的最重要参数之一。因此，优化化学气相沉积（CVD）的生长参数以获得光电级质量的 TMDs 是非常可取的。在此，我们提出了一种系统的光致发光（PL）光谱方法来评估 CVD 生长的 MoS2 的本征光学和晶体质量。我们建议，在空气和真空中测量的 PL 强度比可以作为一种有效的方法来监测 CVD MoS2 的本征光学质量。低温 PL 测量也用于通过与缺陷相关的束缚激子发射来评估 MoS2 中的结构缺陷，这与在不同温度下生长的 MoS2 的场效应载流子迁移率有很好的相关性。因此，这项工作提供了一种灵敏、非侵入性的方法来表征 TMDs 的光学性质，从而允许为光电器件的开发调整生长参数。
引用
@article{arxiv.1609.09307,
title = {Probing the Intrinsic Optical Quality of CVD Grown MoS2},
author = {Amina Zafar and Haiyan Nan and Zainab Zafar and Zhangting Wu and Jie Jiang and Yumeng You and Zhenhua Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.09307},
year = {2017}
}
备注
25 pages, 7 figures