通过控制 MoS$_{2}$ 和 MoO$_{x}$ (X=2 和 3) 化合物的组分调节带隙和自旋轨道耦合
强关联电子
2016-10-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在掺氟氧化锡 (FTO) 衬底上电沉积的组分可控的 MoS 和 MoO (x=2 和 3) 化合物。观察到对于从约 20 到 540 nm 不等的不同层厚，相对含量会导致系统性的电学和光学变化。光学和电学带隙显示出通过控制化合物相对含量可调节的行为，以及从 p 型到 n 型半导体导电性的急剧转变。此外，在较厚的薄膜中，随着 MoO 含量的减少，Mo 3d 双重态的自旋轨道相互作用增强。我们的结果为将此类化合物应用于光电子和纳米电子器件提供了途径。
引用
@article{arxiv.1610.05110,
title = {Tunable bandgap and spin-orbit coupling by composition control of MoS$_{2}$ and MoO$_{x}$ (X=2 and 3) compounds},
author = {S. Erfanifam and S. M. Mohseni and L. Jamilpanah and M. Mohammadbeigi and P. Sangpour and S. A. Hosseini and A. Iraji Zad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05110},
year = {2016}
}