基于卷曲形 V2O5 纳米管的电子性质计算机建模
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
构建了准一维 vanadium 氧化物纳米结构（多种形貌的 V2O5 纳米管，包括圆柱形和卷曲形），通过卷曲 (010) 单层 V2O5 构筑，其电子性质采用紧束缚 band 理论进行研究。与均匀半导体的圆柱形锯齿形 (n,0) 和臼齿形 (n,n) 纳米管（带隙约为 2.5-2.7 eV）相比，卷曲管道的带隙随原子构型和壁间距而显著减小（可减小至约 0.1 eV）。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309179,
title = {Computer Modeling of Electronic Properties of Scroll-like V2O5-based Nanotubes},
author = {A. N. Enyashin and V. V. Ivanovskaya and Yu. N. Makurin and A. L. Ivanovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309179},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 3 figures