用于严重晶格畸变的倒谱扫描透射电子显微成像
材料科学
2021-01-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
使用快速探测器的四维（4D）扫描透射电子显微术（STEM）的发展，为应对电子成像中一些长期存在的挑战开辟了新途径。这些挑战之一是如何对严重畸变的晶体晶格（例如位错核心处）进行成像。在此我们引入一种称为倒谱 STEM（Cepstral STEM）的新 4D-STEM 技术，利用电子漫散射对无序晶体进行成像。利用相干探针通过扫描电子纳米衍射（SEND）捕获漫散射的局部涨落。通过倒谱分析检测电子漫散射中的谐波信号并用于成像。通过将倒谱分析与 4D-STEM 相结合，我们证明可在纳米空间分辨率下分离并成像电子散射势的畸变部分信息。我们将该技术应用于 SiGe 中位错核心以及高熵合金中晶格畸变的分析。
引用
@article{arxiv.2101.06503,
title = {Cepstral Scanning Transmission Electron Microscopy Imaging of Severe Lattice Distortions},
author = {Yu-Tsun Shao and Renliang Yuan and Haw-Wen Hsiao and Qun Yang and Yang Hu and Jian-Min Zuo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.06503},
year = {2021}
}
备注
21 pages, 8 figures