多量子阱等离子体锗/硅锗纳米激光器的设计与分析
光学
2018-12-12 v1 应用物理
摘要
已有许多关于在硅基激光器中使用锗的研究，但获取这种潜力用于纳米激光器对于开发 CMOS 兼容的等离子体光源也可能很重要。本文提出并理论研究了 Ge/SiGe 多量子阱波导集成纳米激光器。对该结构进行了仿真，并借助半经典速率方程模型研究其性能。所提出的纳米激光器具有 0.07um^2 的极小 footprint、室温工作性能以及 CMOS 兼容的制造工艺。所提出结构的输出性能估计是显著的。这些仿真结果与一些实验和冗余软件双重检查相比，显示出可接受的兼容性。在 1550nm 输出波长下，它以 1uA 注入电流提供 3.83uW 输出功率，同时在 24.5GHz 的宽调制带宽内保持性能。这一卓越性能得益于等于 2208 的 Purcell 因子。
引用
@article{arxiv.1812.04498,
title = {Design and Analysis of a multiple quantum-well plasmonic Germanium/Silicon-Germanium nanolaser},
author = {Hamed Ghodsi and Hassan Kaatuzian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04498},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 10 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1808.10586