半导体-金属混合纳米盘激光器
光学
2023-10-03 v1
摘要
在本研究中，设计、制备并表征了基于 InGaAsP 多量子阱（MQWs）或 InGaAs 体材料薄膜的半导体-金属混合纳米盘激光器。通过在金属帽与增益材料之间引入透明介质屏蔽层，可提升表面等离极化激元（SPP）模式的质量因子。基于 InGaAsP 多量子阱的半导体-金属混合纳米激光器可在室温下支持 SPP 模式激射。直径为 600 nm 时，激射模式为类 TM 的 SPP 模式。在高泵浦下，对于纳米激光器，阱中与势垒中的量子化能级均被占据，该行为支持了多模激射。基于 InGaAs 体材料的半导体-金属混合纳米激光器表现出载流子密度使能带饱和并同样占据更高能带。该纳米激光器亦在室温下支持多模激射。在 77K 的低温下，直径为 400 nm 的纳米激光器可支持类 TE 的 SPP 模式激射。
引用
@article{arxiv.2310.00007,
title = {Semicoductor-metallic hybrid nano-disk laser},
author = {Taiping Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.00007},
year = {2023}
}
备注
in CHeinese language