用于纳米或微电子器件多千戈瑞辐照的紧凑型高强度电子束
应用物理
2020-02-19 v1 加速器物理
等离子体物理
摘要
本文提出了一种用于材料老化的紧凑型低能高强度电子源。激光诱导等离子体在 30 kV 二极管内运动，并在阳极处产生 5 MW 电子束。沉积到硅或镓样品中的相应剂量估计为每次激光脉冲 25 kGy。剂量分布强烈依赖于阴极电压，并可在 100 nm 至 1 m 范围内调节。借助这一通用源，可在无标准辐射防护问题的情况下研究高辐照下的微或纳米电子元件。
引用
@article{arxiv.2001.10034,
title = {A versatile and compact high-intensity electron beam for multi-kGy irradiation in nano or micro-electronic devices},
author = {F. Gobet and J. Gardelle and M. Versteegen and L. Courtois and S. Leblanc and V. Méot},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.10034},
year = {2020}
}