硅和德尔州多晶体量子阱：二维六方形掺杂对电子能带结构的影响
材料科学
2025-06-30 v1
摘要
晶体缺陷传统上被视为有害，现在正在为量子技术应用而探索。本研究聚焦于硅和德尔州的堆积错位，形成立方晶体内的六方形掺杂，创建改变电子性质的量子阱。通过对含不同六方层数缺陷结构进行建模，我们计算了形成能和电子能带结构。我们的结果表明，硅和德尔州的六方掺杂具有直接能隙，随掺杂厚度变化，实际上功能相当于量子阱。我们发现德尔州掺杂具有直接能隙并形成 Type-I 量子阱。该研究突显了操控延展缺陷以工程化硅和德尔州光电性质的潜力，为先进的电子和光子器件应用提供了新途径。
引用
@article{arxiv.2407.14918,
title = {Polytypic Quantum Wells in Si and Ge: Impact of 2D Hexagonal Inclusions on Electronic Band Structure},
author = {Anna Marzegalli and Francesco Montalenti and Emilio Scalise},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.14918},
year = {2025}
}