嵌入Ge量子点的Si/Ge超晶格椭偏测量研究
介观与纳米尺度物理
2015-12-29 v1
摘要
本文对嵌入Ge量子点的Si/Ge超晶格（SL）的光谱椭偏测量响应进行了分析。光谱椭偏测量（SE）在室温下用于研究生长在<111>晶向硅（Si）晶圆上的Si/Ge超晶格的光学和电子性质。200 nm至1000 nm范围内的SE分析结果表明，该超晶格系统可通过假设多晶Si和Si1-xGex互混层来有效描述。分析推断的电子跃迁揭示了Si、Ge和合金化相关的临界能量点。
引用
@article{arxiv.1512.07994,
title = {Ellipsometry studies of Si/Ge superlattices with embedded Ge dots},
author = {Seref Kalem and Orjan Arthursson and Peter Werner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.07994},
year = {2015}
}