Si-Ge超晶格的维度与热输运
介观与纳米尺度物理
2019-03-26 v1
摘要
我们通过计算平面超晶格以及嵌入在Si中的Ge纳米线和纳米点阵列的热导率，研究了维度如何影响Si-Ge超晶格中的热输运。我们利用弛豫时间近似下的Boltzmann输运方程的全原子级Monte Carlo解，研究了周期约为 10 nm 的超晶格。我们发现，对于大于4 nm的周期，具有等厚Si和Ge层的平面超晶格在室温下的面外热导率大于具有相似尺寸的纳米线和纳米点对应物（高达100%），而在4 nm以下趋势发生逆转。
引用
@article{arxiv.1903.09855,
title = {Dimensionality and heat transport in Si-Ge superlattices},
author = {Ivana Savić and Davide Donadio and Francois Gygi and Giulia Galli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09855},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 4 figures