高压下氮化镓 (GaN) 熔化的新见解
材料科学
2014-08-15 v1
摘要
本文展示了关于氮化镓 (GaN) 相图及其熔化温度 Tm(P) 随压力演化这一长期悬而未决难题的解决结果，GaN 是用于创新现代电子应用最具前景的半导体材料。分析基于：(i) 在 P-T 平面上对高达 9 GPa 挑战性压力的分解曲线的研究；(ii) 一种能够在早期分解发生的情况下确定 Tm(P) 的新方法；以及 (iii) Tm(P) 曲线的压力不变参数化，揭示了在 P > 22 GPa 时的熔化反转现象。这与极端压力和温度下可能的流体 - 流体交叉有关。指出了这些结果对于发展基于 GaN 的技术的重要性。
引用
@article{arxiv.1408.3254,
title = {The new insight into gallium nitride (GaN) melting under pressure},
author = {Sylwester Porowski and Bogdan Sadovyi and Stanislaw Gierlotka and Sylwester J. Rzoska and Izabella Grzegory and Igor Petrusha and Vladimir Turkevich and Denys Stratiichuk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3254},
year = {2014}
}