GaP 纳米线中的堆垛缺陷：电子结构与光学性质
材料科学
2019-09-04 v2
摘要
半导体纳米线生长过程中孪晶界的形成非常普遍。然而，此类平面缺陷对纳米线电子与光学性质的影响尚不十分清楚。在此，我们结合第一性原理模拟与实验技术来研究这些影响。研究表明，GaP 中的孪晶界充当具有 I 型同质结能带排列的纤锌矿相的原子级窄平面。孪晶界与堆垛缺陷（较宽的纤锌矿相区域）导致了光致发光研究中观测到的浅陷阱态的引入。这些效应应对基于纳米线的器件效率产生深远影响。
引用
@article{arxiv.1810.01194,
title = {Stacking defects in GaP nanowires: Electronic structure and optical properties},
author = {Divyanshu Gupta and Nebile Isik Goktas and Amit Rao and Ray LaPierre and Oleg Rubel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.01194},
year = {2019}
}
备注
24 pages, 11 figures, 1 table