基于还原氧化石墨烯电极的超灵敏自供能大面积平面GaN紫外光电探测器
材料科学
2017-01-04 v2
摘要
展示了一种基于 r-GO/GaN 杂化的自供能紫外光电探测器件的简易设计。在零偏压下，所制备的杂化光电探测器显示出约85%的光灵敏度，而具有相同器件结构的欧姆接触GaN光电探测器在350 nm光照（18微瓦/平方厘米）下仅显示约5.3%的光灵敏度。该杂化器件在零偏压、350 nm光照（18微瓦/平方厘米）下的响应度和探测度分别为1.54 mA/W和1.45x10^10 Jones (cm Hz^(1/2) W^(-1))，且具有快速响应（60 ms）、恢复时间（267 ms）和优异的重复性。功率密度依赖的响应度和探测度揭示了其在低光条件下的超灵敏行为。杂化光电探测器中观察到的自供能效应源于在r-GO与GaN准欧姆界面处形成的耗尽区。
引用
@article{arxiv.1611.03597,
title = {Ultrasensitive Self-powered large area planar GaN UV-photodetector using reduced graphene oxide electrodes},
author = {Nisha Prakash and Manjri Singh and Gaurav Kumar and Arun Barvat and Kritika Anand and Prabir Pal and Surinder P. Singh and Suraj P. Khanna},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03597},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 4 figures, submitted to APL on 31 August, 2016