基于 GaN 光阑和 Si 低增益雪崩二极管的 UV 混合光子探测器
仪器与探测器
2024-06-27 v1 材料科学
应用物理
摘要
具有单光子灵敏度的光子探测器在高能物理、天文学和量子光学等 various scientific 领域中发挥着关键作用。快速响应时间、高量子效率和最小暗电流是使其成为在数百 MHz 频率范围内具有异常信噪比的单光子探测器的理想候选特征。本文报道了我们首个设计和运行结果，涉及将 Gallium Nitride (GaN) 光阑与 Si 基 Low-Gain Avalanche Diode (LGAD) 相结合的混合光子探测器 (HPD)。这种混合探测方案有望实现高量子效率、低噪声水平，并能在数百 MHz 的重复速率下工作。
引用
@article{arxiv.2406.17839,
title = {UV hybrid photon detector based on GaN photocathodes and Si low gain avalanche diode},
author = {Mohamed Boukhicha and Thomas Y. Tsang and Gabriele Giacomini and Amir M. Dabiran and Luca Cultrera},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.17839},
year = {2024}
}