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一种独特的金属-半导体界面及其引发的电子转移现象

材料科学 2012-02-28 v1

摘要

发现了一种从n型半导体向肖特基金属颗粒的异常电子转移现象,该现象源于金属颗粒从半导体衬底上生长时所形成的独特金属-半导体界面。这种独特的界面充当单向(整流)开放通道,首次在还原金红石多晶二氧化钛(一种n型半导体)与第VIII族(贵)金属颗粒之间被识别。该界面显著影响肖特基势垒高度,导致电子基于各自的功函数从还原金红石二氧化钛(TiO2)向金属颗粒转移。其结果是金属颗粒上带有负电荷,其大小和持续时间足以对金属颗粒提供阴极保护,防止其表面氧化。

关键词

引用

@article{arxiv.1202.5771,
  title  = {A unique metal-semiconductor interface and resultant electron transfer phenomenon},
  author = {S. L. Taft},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1202.5771},
  year   = {2012}
}

备注

11 pages, 7 figures, 5 tables