W与WC在4H-SiC上的肖特基接触在不同退火温度下的电学演化
应用物理
2022-05-31 v1
摘要
本文研究了钨（W）和碳化钨（WC）在4H-SiC上的肖特基接触在475至700 {\deg} C不同退火温度热处理下的电学演化。对于每个退火温度，通过在等效二极管组上进行的正向偏置电流-电压（I-V）测量监测肖特基势垒高度（）和理想因子（n）的均匀性。两种接触在直至700 {\deg} C热退火下均获得了良好的n值（低于1.05）。另一方面，两种接触的势垒表现不同。对于W/4H-SiC二极管， 随退火温度升高而增加（从475 {\deg} C时的1.14 eV到700 {\deg} C时的1.25 eV），而WC/4H-SiC中的肖特基势垒在475 {\deg} C热退火时即出现轻微降低，并直至700 {\deg} C退火几乎恒定在约1.06 eV。对700 {\deg} C退火的接触通过电流-电压-温度（I-V-T）表征研究肖特基参数的温度依赖性进行了更深入的表征。 和n随温度的行为表明两种肖特基接触均存在纳米尺度横向不均匀性，可用Tung模型描述。最后，反向特性的温度依赖性可由热场发射模型（TFE）描述，该模型计入了由正向表征确定的温度依赖势垒高度。
引用
@article{arxiv.2205.14985,
title = {Electrical evolution of W and WC Schottky contacts on 4H-SiC at different annealing temperatures},
author = {Marilena Vivona and Gabriele Bellocchi and Raffaella Lo Nigro and Simone Rascuná and Fabrizio Roccaforte},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.14985},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 10 figures