利用弹道电子发射显微镜研究 W/Si(001) 界面肖特基势垒映射的时间变化
介观与纳米尺度物理
2015-03-18 v1 材料科学
摘要
使用 BEEM（弹道电子发射显微镜）在21天时间内将 W/Si(001) 肖特基势垒高度映射到纳米尺度维度，以观察界面静电学的变化。最初，平均谱拟合得到 0.71 eV 的肖特基势垒高度，且映射均匀，98% 的谱可被拟合。21天后，平均谱拟合得到 0.62 eV 的肖特基势垒高度，空间映射发生剧烈变化，仅 27% 的谱可被拟合。透射电子显微镜显示界面处形成了超薄硅化钨，其厚度在21天内增加。这种增加归因于电子散射的增加，并且这些变化在 BEEM 测量中被观察到。有趣的是，在整个21天期间，I-V 测量几乎未观察到变化。
引用
@article{arxiv.1503.04836,
title = {Time dependent changes in Schottky barrier mapping of the W/Si(001) interface utilizing Ballistic Electron Emission Microscopy},
author = {Chris A. Durcan and Robert Balsano and Vincent P. LaBella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04836},
year = {2015}
}