单层1T$^\prime$-MoS$_2$的光激发拓扑相转变
介观与纳米尺度物理
2025-11-20 v1
摘要
我们利用低能k·p哈密顿量结合范德维尔展开，研究了单层1T--MoS在高频圆形偏振驱动下的非平衡拓扑相。非共振场产生自旋和谷浓度相关的质量修正，重新塑造Berry曲率轮廓并偏移带倒转的条件。通过评估准能带、Berry曲率、Hall导电率以及自旋-谷浓度解析的Chern数，我们识别出一系列由明确的能隙闭合所标志的光控拓扑转变。根据Floquet耦合强度和电场参数，系统在平衡量子自旋海（QSH）相与若干驱动相之间演化，包括自旋极化量子海洞绝缘体（S-QHI）、量子谷海（QVH或BI）和光激发量子海洞绝缘体（P-QHI）等相。这些结果确立了1T--MoS作为可调控平台，在这里，圆形驱动选择性地操控自旋和谷自由度，实现对过渡金属硫化物中非平衡拓扑相的受控访问。
引用
@article{arxiv.2511.15268,
title = {Photoinduced topological phase transition in monolayer 1T$^\prime$-MoS$_2$},
author = {Mohammad Mortezaei Nobahari},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.15268},
year = {2025}
}