单层 MoS2 的相变与场效应拓扑量子晶体管
介观与纳米尺度物理
2018-04-30 v1 材料科学
摘要
我们使用两带哈密顿量模型研究单层二硫化钼(MoS2)中的拓扑相变与拓扑量子场效应晶体管。在不考虑哈密顿量中的二次(q^2)对角项时，我们展示相图包含量子反常霍尔(QAH)、量子自旋霍尔(QSH)和自旋量子反常霍尔效应(SQAH)区域，使得平面内满足拓扑基尔霍夫定律。通过考虑 q^2 对角项并包含单一谷，表明 MoS2 具有非平凡拓扑，且每个自旋的谷陈数非零。我们展示当在自旋-谷狄拉克质量方程中加入(删除) q^2 对角项时，波函数局域化(非局域化)于边缘。我们使用非平衡格林函数方法计算锯齿形 MoS2 纳米带的量子电导，并展示该器件如何作为场效应拓扑量子晶体管工作。
引用
@article{arxiv.1803.03390,
title = {Phase Transition and Field Effect Topological Quantum Transistor made of monolayer MoS2},
author = {H. Simchi and M. Simchi and M. Fardmanesh and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03390},
year = {2018}
}