$MoS_2$整数量子霍尔体制中拓扑诱导的分数量子霍尔台阶
介观与纳米尺度物理
2016-08-22 v2
摘要
使用线性响应理论推导了单层二硫化钼的量子磁输运性质。特别地，分析了拓扑项对纵向电导率和霍尔电导率的影响。霍尔电导率在整数量子霍尔体制中表现出分数台阶。此外，在这些拓扑项存在下，观测到纵向电导率的完全自旋和谷极化。最后，Shubnikov-de Hass振荡根据这些拓扑项的符号被抑制或增强。
引用
@article{arxiv.1604.05007,
title = {Topologically induced fractional Hall steps in the integer quantum Hall regime of $MoS_2$},
author = {SK Firoz Islam and Colin Benjamin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.05007},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 8 figures, accepted for publication in Nanotechnology (2016)