二维过渡金属二硫化物中的量子自旋霍尔效应与拓扑场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2014-12-16 v1 材料科学
摘要
我们报道了一类新型大带隙量子自旋霍尔绝缘体，存在于二维过渡金属二硫化物中，即 MX（其中 M=(Mo, W)，X=(S, Se, Te)），其拓扑电子性质可通过外电场高度调控。我们提出了一种由这些原子层材料及其范德华异质结构构成的新型拓扑场效应晶体管。我们的器件通过拓扑保护输运通道展示了参数增强的电荷 - 自旋电导，并可通过拓扑相变而非载流子耗尽由电场快速关闭。我们的工作为拓扑量子电子学提供了实用的材料平台和器件架构。
引用
@article{arxiv.1406.2749,
title = {Quantum Spin Hall Effect and Topological Field Effect Transistor in Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Xiaofeng Qian and Junwei Liu and Liang Fu and Ju Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.2749},
year = {2014}
}
备注
22 pages, 10 figures, submitted in May 2014