硅烯中的量子自旋/谷霍尔效应和拓扑绝缘体相变
介观与纳米尺度物理
2013-05-17 v1
摘要
我们提出了硅烯中量子自旋和量子谷霍尔效应的理论实现。我们表明，电场和本征自旋-轨道相互作用的结合导致电荷中性点处的量子相变。这种从二维拓扑绝缘体到平庸绝缘态的相变伴随着量子自旋霍尔效应的淬灭和量子谷霍尔效应的出现，为实验调控硅烯的拓扑态提供了工具。与石墨烯和其他传统拓扑绝缘体相比，硅烯中提出的效应是实验可及的。
引用
@article{arxiv.1206.3650,
title = {Quantum spin/valley Hall effect and topological insulator phase transitions in silicene},
author = {M. Tahir and A. Manchon and K. Sabeeh and U. Schwingenschlogl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.3650},
year = {2013}
}
备注
8 pages and 2 figures