单层jacutingaite中的拓扑输运

单层-jacutingaite(Pt2HgSe3)被预测为第一个大间隙Kane-Mele量子自旋格林绝缘体。jacutingaite族材料发生拓扑相变(TPT)，即从拓扑非平凡相到半金属相，再到正常绝缘相，当暴露于电场和非共振、高频和高强度激光照射时。本文我们研究了在合适选择的非共振圆偏振激光场和错位亚格子势的存在下，这种独特材料中拓扑相的丰富景观。这种刺激与由于jacutingaite材料的凹陷结构而产生的大自旋轨道耦合相互作用，导致量子自旋格林绝缘体、谷纹自旋极化金属、自旋极化金属、光致量子霍尔绝缘体、异常量子霍尔绝缘体和带绝缘体相的出现。通过分析能带结构，我们计算了在不同拓扑regime中针对K和K'谷的Berry曲率。此外，通过使用Kubo公式，我们计算了作为光子能量函数的自旋谷分辨的纵向和霍尔电导率，表明电导呈现强烈的拓扑状态依赖性。 intraband和interband光学跃迁的光子能量可以通过变化电场和光场来调节。最后，我们演示了通过调制化学势，可以由于光学选择规则，某些允许的光学跃迁被Pauli阻塞。