封装双层jacutingaite中栅极可调的不平衡Kane-Mele模型
介观与纳米尺度物理
2021-04-26 v2 材料科学
摘要
我们从第一性原理研究了自由、覆层与封装的双层jacutingaite PtHgSe。自由站立双层是大带隙平庸绝缘体，而我们发现封装结构由于子格对称破缺与子格依赖的次近邻跃迁之间的竞争而具有小的平庸带隙。施加小的垂直电场后，封装双层经历朝向量子自旋霍尔绝缘体的拓扑相变。我们发现该拓扑相变可通过将两层建模为解耦的、由不平衡Kane-Mele模型描述来理解，该模型考虑了每层中的子格不平衡及相应的反演对称破缺。在此图像下，双层jacutingaite经历了从0+0态（每层均为平庸）到0+1态（仅一层中出现依赖Rashba类自旋轨道耦合的异常拓扑态）的相变。
引用
@article{arxiv.2007.09926,
title = {Gate-tunable imbalanced Kane-Mele model in encapsulated bilayer jacutingaite},
author = {Louk Rademaker and Marco Gibertini},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.09926},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 5 figures