SiO2上单层石墨烯中应变诱导局域电导调制的证据
材料科学
2009-07-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
石墨烯作为一种电子材料，在器件应用以及研究具有两个狄拉克点附近相对论性色散关系的二维电子气方面展现出前景。尽管如此，偏离狄拉克谱的行为已被广泛报道，且解释各异。本文通过扫描隧道显微镜（STM）研究，展示了SiO2衬底上单层石墨烯局域电导中存在应变诱导空间调制的证据。我们发现，应变石墨烯表现出抛物线形、U形的电导-偏压谱，而非狄拉克费米子预期的V形谱；而在松弛石墨烯区域则恢复V形谱。从STM研究导出的应变图进一步揭示了与局域隧穿电导的直接相关性。这些结果归因于应变诱导的面外声子模频率增加，该声子模介导了低能非弹性电荷隧穿进入石墨烯。
引用
@article{arxiv.0903.2327,
title = {Evidence for Strain-Induced Local Conductance Modulations in Single-Layer Graphene on SiO2},
author = {M. L. Teague and A. P. Lai and J. Velasco and C. R. Hughes and A. D. Beyer and M. W. Bockrath and C. N. Lau and N. -C. Yeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.2327},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures. Corresponding author: Nai-Chang Yeh ([email protected])