氧化物 HfO2 和 SiO2 中缺陷能量的比较研究
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们基于密度泛函理论进行了单向 HfO2（单向 HfO2）和 α-石英 (SiO2) 中取代型和空位缺陷的 ab initio 计算。研究了中性氧空位以及 HfO2 和 SiO2 中的取代 Si 和 Hf 缺陷。我们的计算表明，在较宽的 Hf 化学势范围内，Si 取代型缺陷最容易在 HfO2 中形成，导致在 HfO2/Si 界面处形成硅酸盐层。我们还发现，在 HfO2 中形成氧空位的能量小于在 SiO2 中形成氧空位的能量，这意味着在 SiO2 上生长的氧缺乏 HfO2 将从 SiO2 中消耗氧气。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310747,
title = {Comparative study of defect energetics in HfO2 and SiO2},
author = {W. L. Scopel and Antonio J. R. da Silva and W. Orellana and A. Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310747},
year = {2009}
}
备注
Revtex4, 3 pages and 1 figure, submitted to Appl. Phys. Lett