非晶 ZrO2 和 HfO2 的结构与介电性质
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2) 是替代 SiO2 作为 CMOS 技术中栅极绝缘体的主要候选材料。这些材料的非晶形式 (a-ZrO2 和 a-HfO2) 可以作为亚稳相在硅缓冲层上生长；虽然它们在后续退火步骤中倾向于再结晶，但由于它们有望改善均匀性和电学惰性，否则将具有相当大的吸引力。在这项工作中，我们报告了使用第一性原理密度泛函方法对 a-ZrO2 和 a-HfO2 的理论研究。我们使用 Barkema 和 Mousseau 的“激活-弛豫”技术 (ART) 构建了真实的非晶模型。详细分析了所得模型的结构、振动和介电性质。计算了整体平均介电常数，发现其与单斜相相当。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606340,
title = {Structural and dielectric properties of amorphous ZrO2 and HfO2},
author = {Davide Ceresoli and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606340},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 6 figures. Submitted to Physical Review B