RRAM中铪亚氧化物的结构性质与热力学
材料科学
2015-11-25 v1
摘要
我们通过基于密度泛函理论的第一性原理模拟，研究了从z=9到z=0.5的各种铪亚氧化物HfzO的结构和电子性质。研究了这些亚氧化物相对于单斜HfO2的稳定性。还设想了给定HfzO向化学计量比HfO2的渐进氧化。在采用二氧化铪作为绝缘体的基于氧化物的阻变随机存取存储器（OxRRAM）器件的背景下，讨论了与HfO2矩阵内电子导电区域的类比。
引用
@article{arxiv.1511.07665,
title = {Structural Properties and Thermodynamics of Hafnium sub-oxides in RRAM},
author = {Philippe Blaise and Boubacar Traore},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.07665},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures