氧化铪亚氧化物的渗流电导
介观与纳米尺度物理
2015-01-13 v1 材料科学
摘要
在本研究中，我们通过实验证明，在氧化铪亚氧化物（HfO，）中氧空位链和岛的形成导致此类电介质中的渗流电荷输运。基于 \'{E}fros-Shklovskii 渗流理论模型，电流 - 电压特性的实验数据与理论数据之间取得了良好的定量一致性。基于渗流理论提出的模型表明，氧化铪亚氧化物由分布在非化学计量比 HfO 上的 1-2 nm 金属 Hf 纳米团簇混合物组成。研究表明，所报告的方法可以描述基于 HfO 的电阻式存储元件的低阻态电流 - 电压特性。
引用
@article{arxiv.1412.4478,
title = {Percolation conductivity in hafnium sub-oxides},
author = {D. R. Islamov and V. A. Gritsenko and C. H. Cheng and A. Chin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4478},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 2 figures