非晶氧化物半导体中电荷传输的渗流描述
无序系统与神经网络
2019-09-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
非晶氧化物半导体（AOS）中的电荷传输机制是一个存在争议争论的问题。迄今为止大多数理论研究忽视了该现象的渗流本质。本文中，利用渗流论点 formulation 了 AOS 中电荷传输的理论描述方案。与先前理论研究的比较显示了渗流方法的优越性。将渗流理论的结果与在各种 InGaZnO 材料中获得的实验数据进行比较，揭示了此类 AOS 中无序势的参数。
引用
@article{arxiv.1907.05107,
title = {Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors},
author = {A. V. Nenashev and J. O. Oelerich and S. H. M. Greiner and A. V. Dvurechenskii and F. Gebhard and S. D. Baranovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05107},
year = {2019}
}