非晶氧化物半导体场效应晶体管中带输运和维度的物理基础
材料科学
2026-04-28 v1
摘要
由于晶体有序性、维度以及大量陷阱态密度效应的不确定性，为解释非晶氧化物半导体（AOS）场效应晶体管（FET）中的电荷输运乃至更一般的器件物理建立一致且被广泛接受的物理基础一直受到阻碍。本文的总体主题是构建并论证一个急需的概念框架，用于描述先进的 AOS 晶体管，特别是具有极短沟道长度的晶体管。结合关于电荷输运和器件物理的新工作与精选的先前研究成果，以及各研究团队关于形貌、物理性质、电子结构和渗流效应的文献报道，本文呈现了支持高迁移率 AOS FET 中准二维沟道内受陷阱影响的带输运图像的主要可用证据。
引用
@article{arxiv.2604.24641,
title = {Physical Basis for Band Transport and Dimensionality in Amorphous Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors},
author = {Ananth Dodabalapur and Chankeun Yoon and Xiao Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.24641},
year = {2026}
}