导电金属氧化物与氧化铪双层 ReRAM：第一性原理研究
材料科学
2025-03-21 v1
摘要
在双层阻变存储器器件背景下，我们对两种导电金属氧化物（CMO，即 TaO 和 TiO）与立方氧化铪（）之间的界面进行了广义梯度近似（GGA）模拟。我们通过在 内部创建一条原子级薄的氧原子空位路径，模拟了 中的细丝导电。我们表明，这种原子级薄的细丝导致结构电阻的大幅降低。此外，我们探讨了 CMO 内部氧过剩对器件全局电阻产生影响的可能性，并证实了这种诱导调制。我们还阐明了对 CMO 内部注入氧原子时观察到的电阻增加的两个可能原因。最后，我们指出了以 TaO 和 TiO 作为 CMO 的器件之间的关键差异。我们表明，含 TaO 的结构总体上更稳定，并表现出仅包含低阻和高阻（两个明显分离的能级）的行为，而含 TiO 的结构则允许存在中间电阻。
引用
@article{arxiv.2407.09238,
title = {Conductive metal oxide and hafnium oxide bilayer ReRAM: an ab initio study},
author = {Antoine Honet and Aida Todri-Sanial},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.09238},
year = {2025}
}