电形成过程中横向离子迁移的模拟
应用物理
2021-11-12 v1
摘要
在过去十年中，非易失性存储器器件在工业界与学术界均受到大量关注。过渡金属氧化物基存储器作为通用存储器与人工突触具有潜在应用。本文聚焦于金属/氧化物/金属结构的一次性调理导致 TiN/TaxO1-x/TiN 结构中导电细丝的形成，并建立了该过程的有限元模型。模型求解了电荷、热与质量传输的耦合方程，其中质量传输以浓度、温度与应力梯度为驱动力。结果紧密复现了已有的结构数据，如细丝的 Ta 富集核心的直径与成分、其周围的 O 富集环，以及细丝形成的动力学过程。文中讨论了关键材料参数的范围，即 Ta 与 O 的输运热。
引用
@article{arxiv.2111.06215,
title = {Simulation of lateral ion migration during electroforming process},
author = {Jingjia Meng and Enkui Lian and Jonathan D. Poplawsky and Marek Skowronski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.06215},
year = {2021}
}
备注
34 pages, 12 figures