工作态钽氧化物忆阻器中局域径向氧迁移的直接观测
材料科学
2016-02-08 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
利用原位X射线吸收谱显微术研究了作为有前景的下一代存储材料的钽氧化物中的氧迁移，并用于从微物理角度描述导电通道的加速演化与器件失效。所得的氧浓度环状图样采用热泳力与菲克扩散建模，确立了温度激活的氧迁移的关键作用，该作用近来一直受到质疑。
引用
@article{arxiv.1602.01204,
title = {Direct Observation of Localized Radial Oxygen Migration in Functioning Tantalum Oxide Memristors},
author = {Suhas Kumar and Catherine E. Graves and John Paul Strachan and Emmanuelle Merced Grafals and Arthur L. David Kilcoyne and Tolek Tyliszczak and Johanna Nelson Weker and Yoshio Nishi and R. Stanley Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01204},
year = {2016}
}
备注
7 pages, Advanced Materials (2016); updated abstract