局域阳极氧化制备的 Ti/TiOx/Ti 忆阻器件中漂移与扩散过程的观测
介观与纳米尺度物理
2013-06-25 v3
摘要
我们演示了利用原子力显微镜通过针尖诱导氧化薄金属膜来制备忆阻器件。对如此制备的 Ti/TiOx/Ti 测试结构进行的电学测量证实了其忆阻行为，并推断出氧空位在 TiOx 势垒中的扩散。随后的开尔文探针力显微镜研究为扩散以及预期的氧空位漂移提供了证据。由扩散过程导致的空位空间分布的时间演化揭示了器件至少具有分钟级的保持时间。这项工作为制备忆阻纳米器件提供了一种替代技术，其几何结构有利于利用扫描探针显微镜研究其势垒内过程，同时也为寻找用于前瞻性忆阻应用的新型氧化物材料提供了一种广泛适用的方法。
引用
@article{arxiv.1106.5006,
title = {Observation of drift and diffusion processes in Ti/TiOx/Ti memristive devices prepared by local anodic oxidation},
author = {I. Batko and M. Batkova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5006},
year = {2013}
}