高 k 堆叠中作为电荷陷阱的 HfO$_2$ 中的负氧空位
材料科学
2009-11-11 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们使用原子基组、非局域密度泛函和周期性超胞计算了 m-HfO 中氧空位的光学激发和热电离能。带负电的 V 和 V 中心的热电离能与电学测量获得的值一致。结果表明，负氧空位是铪基栅极堆叠器件中本征电子陷阱的可能候选者。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605593,
title = {Negative oxygen vacancies in HfO$_2$ as charge traps in high-k stacks},
author = {J. L. Gavartin and D. Munoz Ramo and A. L. Shluger and G. Bersuker and B. H. Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605593},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 2 figures