ZnO 中的氧空位与 EC - 1 eV 电子陷阱
材料科学
2015-06-18 v1
摘要
对五种采用不同技术生长的 n 型 ZnO 样品，在 80 K 至 550 K 温度范围内进行了傅里叶变换深能级瞬态谱测试。从阿伦尼乌斯图中推导出了四种电子陷阱的俘获截面和电离能。在五种样品中均系统性地观测到一个位于导带底下方 1 eV 处的陷阱，其具有较大的电子表观俘获截面（1.6 0.4 x 10 cm），表明其具有施主特性。基于现有的理论预测，讨论了这个深能级归属于氧空位的指认问题。
引用
@article{arxiv.1401.6851,
title = {Oxygen vacancy and EC - 1 eV electron trap in ZnO},
author = {Gauthier Chicot and Pierre Muret and Julien Pernot and J. L. Santailler and Guy Feuillet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6851},
year = {2015}
}